品種 | 直徑(英寸) | 類型 | 濃度(cm-3) | 遷移率(cm2/V.s) | 電阻率(Ω.cm) | 位錯密度(cm-3) |
非摻InP | 2 | N | ≤3×1016 | (3.5-4)×103 | <1×103 | |
S-InP | 2 | N | (0.8-6)×1018 | (1.5-3.5)×103 | <500 | |
3 | (0.8-6)×1018 | (1.5-3.5)×103 | <1×103 | |||
4 | (0.8-6)×1018 | (1.5-3.5)×103 | <5×103 | |||
Zn-InP | 2/3/4 | P | (0.6-6)×1018 | 50-70 | <1×103 | |
Fe-InP | 2 | SI | >1000 | >0.5×107 | <5×103 | |
3 | ||||||
4 | ||||||
晶片單面拋光或雙線拋光,開盒即用。晶向(100),2英寸片標準厚度350±25μm,3英寸標準厚度600±25μm,4英寸片標準厚度625±25μm,其它特殊規格根據要求加工。 |
InP SubstratesCrystal NO. TD02-180525S
長晶方式 Growth Method | VGF |
電導型 Conduction Type | N type |
攙雜 zDopant | S |
載流子濃度 Carrier Concentration | (1~4)E18 cm-3 |
電阻率 Resistivity | (1.0~1.3)E-3 Ω.cm |
電子遷移率 Mobility | >1500 cm2/V.s |
EPD | <1000 cm-2 |
晶體取向 Orientation | (100)±0.5 degree |
大平面晶體取向 Major flat orientation/length | [0-1-1]±0.1/16±1 degree/mm |
小平面晶體取向 Minor flat orientation/length | [0-11]±0.5/7±1 degree/mm |
厚度 Thickness(center) | 350±25 um |
直徑 Diameter | 50.8±0.5 mm |
TTV | <10 um |
BOW | <10 um |
表面加工 Surface treatment | Single Side EPI-Ready Polished |