| 品種 | 直徑(英寸) | 類型 | 濃度（cm-3） | 遷移率(cm2/V.s) | 電阻率(Ω.cm) | 位錯密度(cm-3) |
| 非摻InP | 2 | N | ≤3×1016 | （3.5-4）×103 | ＜1×103 | |
| S-InP | 2 | N | (0.8-6)×1018 | （1.5-3.5）×103 | ＜500 | |
| 3 | (0.8-6)×1018 | （1.5-3.5）×103 | ＜1×103 | |||
| 4 | (0.8-6)×1018 | （1.5-3.5）×103 | ＜5×103 | |||
| Zn-InP | 2/3/4 | P | (0.6-6)×1018 | 50-70 | ＜1×103 | |
| Fe-InP | 2 | SI | ＞1000 | ＞0.5×107 | ＜5×103 | |
| 3 | ||||||
| 4 | ||||||
| 晶片單面拋光或雙線拋光，開盒即用。晶向（100）,2英寸片標準厚度350±25μm，3英寸標準厚度600±25μm，4英寸片標準厚度625±25μm，其它特殊規格根據要求加工。 | ||||||
InP SubstratesCrystal NO. TD02-180525S
| 長晶方式 Growth Method | VGF |
| 電導型 Conduction Type | N type |
| 攙雜 zDopant | S |
| 載流子濃度 Carrier Concentration | (1~4)E18 cm-3 |
| 電阻率 Resistivity | (1.0~1.3)E-3 Ω.cm |
| 電子遷移率 Mobility | >1500 cm2/V.s |
| EPD | <1000 cm-2 |
| 晶體取向 Orientation | (100)±0.5 degree |
| 大平面晶體取向 Major flat orientation/length | [0-1-1]±0.1/16±1 degree/mm |
| 小平面晶體取向 Minor flat orientation/length | [0-11]±0.5/7±1 degree/mm |
| 厚度 Thickness(center) | 350±25 um |
| 直徑 Diameter | 50.8±0.5 mm |
| TTV | <10 um |
| BOW | <10 um |
| 表面加工 Surface treatment | Single Side EPI-Ready Polished |
