半導體鍺芯片技術參數 | |
摻雜類型 | P(or或S-C-P) |
摻雜物質 | Ge-ga |
直徑 | 100±0.25 |
晶向 | (100)to向[111]by偏9°(or或6°)±0.5° |
轉向角度 | N/A |
主參考面晶向 | <110>(or或100)±0.2° |
主參考面邊長度 | 15(or或32)±1 |
副參考面晶向 | N/A |
副參考面邊長度 | N/A |
電阻率 | 0.01-0.04(0.005-0.003) |
電子遷移率 | N/A(T>800cm2/V.S.) |
載流子濃度CC值 | N/A(0.2-3E18) |
位錯密度 | ≤300 |
激光刻字 | 主面參考邊對面(依客戶差異確認) |
厚度 | 140(175)±10 |
TTV | <10-15 |
TIR | N/A |
BOW | <10-15 |
Warp | <15 |
Surface | 正面拋光、背面(金剛石)研磨 |
顆粒數量 | N/A[<300(>0.3μm)] |
強度 | N/A(≥5-6lbf) |
少子壽命 | N/A(>1μSec) |
包裝材料及方法 | 充氮氣雙層袋包裝(或單片包裝,免清洗) |