半導體鍺芯片技術參數 | |
摻雜類型 | P（or或S-C-P） |
| 摻雜物質 | Ge-ga |
| 直徑 | 100±0.25 |
| 晶向 | （100）to向[111]by偏9°（or或6°）±0.5° |
| 轉向角度 | N/A |
| 主參考面晶向 | <110>（or或100）±0.2° |
| 主參考面邊長度 | 15（or或32）±1 |
| 副參考面晶向 | N/A |
| 副參考面邊長度 | N/A |
| 電阻率 | 0.01-0.04（0.005-0.003） |
| 電子遷移率 | N/A（T>800cm2/V.S.） |
| 載流子濃度CC值 | N/A（0.2-3E18） |
| 位錯密度 | ≤300 |
| 激光刻字 | 主面參考邊對面（依客戶差異確認） |
| 厚度 | 140（175）±10 |
| TTV | ＜10-15 |
| TIR | N/A |
| BOW | ＜10-15 |
| Warp | ＜15 |
| Surface | 正面拋光、背面（金剛石）研磨 |
| 顆粒數量 | N/A[＜300（＞0.3μm）] |
| 強度 | N/A（≥5-6lbf） |
| 少子壽命 | N/A（＞1μSec） |
| 包裝材料及方法 | 充氮氣雙層袋包裝（或單片包裝，免清洗） |
